[아이뉴스24 윤선훈 기자] 인텔이 지난 11일(현지시간) 미국 산타클라라에서 '아키텍처 데이' 행사를 진행했다. 이 자리에서 인텔은 내년 하반기부터 출시될 10nm(나노미터) 공정 프로세서의 로드맵과 신기술을 공개하고 관련 시스템을 시연했다.
이날 인텔은 10nm 공정에서 생산될 차세대 프로세서인 '서니 코브'를 공개했다. 여러 공정 칩을 하나로 묶는 포베로스 기술도 함께 선보였다.
특히 인텔이 10nm 공정이 적용된 제품을 공개했다는 점이 주목할 만하다. 인텔이 올 하반기 공개한 9세대 프로세서에는 14nm 공정이 적용됐다. 인텔은 지난 3년간 14nm 공정에 머물러 왔다. 10nm 제품 양산에 차질이 빚어지며 예정보다 공정 전환 속도가 늦어진 상황이다.
새롭게 공개한 '서니 코브'는 10nm의 차세대 프로세서 아키텍처다. 한번에 더 많은 명령을 처리할 수 있도록 했고 지연도 최소화했다. 캐시 메모리 용량도 강화했다. 인텔은 이를 통해 게이밍, 미디어 등 다양한 경험을 개선할 것으로 기대했다. 서니 코브는 내년 말 출시되는 인텔 코어·제온 프로세서의 기반이 된다.
해당 프로세서에서는 전작 대비 성능을 개선한 내장 그래픽칩셋 'Gen11'도 함께 탑재된다. Gen11은 실행 유닛을 전작인 Gen9에 비해 2배 늘어난 64개 탑재했다. 클럭당 연산 성능도 2배 향상될 것으로 보인다. 이와 별개로 인텔은 오는 2020년까지 외장 그래픽 프로세서를 도입할 계획이다.
함께 공개된 기술인 '포베로스'는 여러 공정에서 생산된 칩을 3D 구조로 묶는 새로운 3D 패키징 기술이다. 프로세서와 그래픽 칩, AI 가속용 칩 등을 한데 쌓아올릴 수 있다. 서로 다른 공정에서 생산된 칩도 함께 쌓는 것이 가능하다.
인텔은 2019년 하반기부터 포베로스를 활용한 다양한 제품을 출시할 계획이다. 첫 포베로스 제품은 저전력 22FFL 베이스 다이가 적용된 고성능 10nm 연산 스택 칩렛이라고 인텔은 밝혔다.
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