이석희 SK하이닉스 사장 "메모리반도체, 미래 ICT 세상의 중심"

[아이뉴스24 서민지 기자] 이석희 SK하이닉스 대표이사 사장이 미래 정보통신기술(ICT) 세상에서 메모리반도체가 중심적인 역할을 할 것이라고 강조했다.

이 사장은 22일 세계전기전자학회(IEEE)의 국제신뢰성심포지엄(IRPS) 기조연설에서 "서버, PC, 모바일 기기에 단순하게 사용되던 메모리반도체는 이제 다양한 기술 혁신 속에서 기능이 다변화되고 확대되는 추세"라며 "이런 이유로 앞으로 메모리반도체는 정보를 저장하고 처리하는 것 이상의 역할을 수행하며, 미래 ICT 세상에서 중심적인 역할을 하게 될 것"이라고 말했다.

그러면서 "그동안 메모리반도체 산업이 다양한 애플리케이션과 고객의 니즈에 대응하기 위해 고용량, 초고속, 저전력 구현에 집중해 왔다면, 앞으로 '4차 산업 혁명의 디지털 대전환' 속에서 스마트 ICT 환경에 적합한 기술혁신을 이루기 위해서는 높은 수준의 신뢰성을 갖추는 것도 중요하다"고 강조했다.

SK하이닉스는 파이낸셜 스토리를 추구하며 첨단기술로 더 나은 세상을 만들어나가겠다는 의지도 내비쳤다. 파이낸셜 스토리는 고객, 투자자, 시장 등 다양한 이해관계자에게 SK 각 회사의 성장 전략과 미래 비전을 제시하고 신뢰와 공감을 이끌어 내며 기업가치를 포함한 총체적 가치를 높여 나가자는 SK그룹의 새로운 경영전략이다.

이 사장은 "고객과 협력사와의 협업을 기반으로 개방형 혁신을 지향하는 동반자적 관계를 구축하는 것이야말로 경제적 가치와 사회적 가치를 동시에 추구하는 새로운 시대를 만들 수 있는 방법"이라며 "SK하이닉스는 기술 개발에 기술, 사회, 시대적 가치를 담아 우리 삶의 질을 향상시키고 환경 문제 해결에 적극적으로 동참하는 한편, 구성원 및 이해관계자의 행복 추구를 통해 더 나은 ICT 세상을 만들어가겠다"고 밝혔다.

SK하이닉스의 경영 전략도 공유했다. 디지털 대전환 시대에는 기술적 가치, 사회적 가치, 시대적 가치가 반도체 기술 발전을 견인하게 될 것으로 보며, 이를 실현하기 위한 다양한 노력에 대해 설명했다.

기술적 가치 달성을 위한 핵심과제로 D램은 패터닝 한계 극복, 셀 캐패시터 용량 확보, 저저항 배선 기술 확보를, 낸드는 HARC(High Aspect Ratio Contact) Etch 기술 확보, 셀 다이일렉트릭 특성 확보, 필름 스트레스 문제 해결을 꼽았다.

이 사장은 "D램과 낸드 각 분야에서 기술 진화를 위해 물질과 설계 구조를 개선하고 있으며, 신뢰성 문제도 차근차근 해결해가고 있다"며 "이를 바탕으로 성공적인 플랫폼 혁신이 이뤄진다면, 향후 D램 10나노미터(nm) 이하 공정 진입, 낸드 600단 이상 적층도 가능하다"고 말했다.

메모리반도체 산업의 기술 혁신으로 사회적 책임을 다해야 한다는 점도 강조했다. SK하이닉스는 전 세계 모든 데이터 센터의 하드디스크 드라이브(HDD)를 2030년까지 저전력 PLC·QLC 기반 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)로 교체할 경우 4천100만 톤의 온실가스 배출량을 감축할 수 있고, 이를 통해 38억 달러 이상의 사회적 가치를 창출할 수 있다고 예상했다.

이 사장은 "현재 솔루션만으로 나아가면 전 세계에서 생산되는 에너지양의 한계에 도달하는 시점이 멀지 않을 것으로 예상된다"며 "이러한 문제를 해결하기 위해 에너지 소비를 크게 절감하면서도 동시에 컴퓨팅 성능 향상이 가능한 새로운 솔루션을 지속 제공하겠다"고 밝혔다.

시대적 가치에 대해서는 "미래에는 AI 기술을 기반으로 모든 기기가 통합돼 우리 주변 모든 것에 스마트 ICT 기술이 사용되는 세상이 될 것"이라며 "메모리반도체는 성능 한계 극복을 위해 메모리와 처리장치가 융합되는 방향으로 발전할 것"이라고 내다봤다.