삼성전자, 초격차 기술로 '1천단 V낸드' 시대 이끈다

[아이뉴스24 장유미 기자] 글로벌 메모리 반도체 시장을 주도하고 있는 삼성전자가 낸드플래시 부문에서 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보한 것을 바탕으로 향후 '1천단 적층 시대'를 주도할 것이란 포부를 드러냈다.

송재혁 삼성전자 플래시 개발실 부사장은 8일 삼성전자 뉴스룸 기고문을 통해 올 하반기에 업계 최소 셀 사이즈의 7세대 V낸드가 적용된 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품을 출시할 것이란 계획을 밝혔다. 이번에 선보일 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35%까지 줄였다.

삼성전자는 2002년 플래시 메모리 분야에서 처음 세계 1위 자리에 오른 뒤 지난해까지 19년 연속 1위 자리를 지켰다. 지난해 글로벌 SSD시장에서의 점유율은 33.3%다. 올해도 1위 자리 유지가 확실해 D램에 이어 낸드에서도 20년 연속 1위 자리에 오를 전망이다.

또 삼성전자는 10여년간 자체 연구 끝에 지난 2013년 세계 최초 '3D V낸드'를 선보인 후 그동안 반도체 업계 패러다임을 선도하고 있다는 평가를 받았다. '3D V낸드'는 수직으로 쌓아올린 평면 단을 3차원 공간에 구멍을 뚫어 각 층을 연결한 낸드플래시 메모리로, 수직 적층 방식을 통해 기존 면적을 유지하면서 반도체 성능을 끌어올릴 수 있는 것이 특징이다.

이후 삼성전자는 세계 최초로 128단 낸드(6세대 V낸드)도 개발했다. 하지만 미국 마이크론이 지난해 세계 최초로 176단 이상의 7세대 V낸드 출시를 발표하며 기술을 한 단계 더 끌어 올렸다는 평가를 받았다.

이를 두고 송 부사장은 "V낸드의 단수는 현재 200단에 근접해 있지만 아파트를 지을 때 층수가 높은 고층 아파트라고 해서 무조건 명품 아파트라고 할 수는 없듯이 무조건 쌓는 것만이 전부는 아니다"며 "낸드플래시도 언젠가는 높이의 한계에 마주하게 될 것"이라고 강조했다.

이어 "자사가 세계 최초로 개발한 V낸드의 단수 경쟁이 치열해지면서 똑같은 단수여도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이 됐다"며 "앞으로 업계 최소 셀사이즈를 구현한 '3차원 스켈링(3D Scaling)' 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것"이라고 자신감을 드러냈다.

실제로 이 기술을 통해 삼성전자는 마이크론과 똑같은 176단 낸드라도 더 작은 크기의 제품을 선보일 수 있게 됐다. 또 삼성전자의 7세대 V낸드는 최대 2.0Gbps(기가비피에스, 1Gbps=1천 Mbps) 입출력 성능을 갖고 있는 것이 특징으로, 3D모델링·영상편집 등 대용량 작업을 동시에 처리하는 멀티태스킹 환경에 최적의 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 보인다.

송 부사장은 "향후 데이터센터용 SSD에도 7세대 V낸드를 빠르게 확대 적용하려고 한다"며 "현재 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보한 상황으로, 시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다"고 밝혔다.

이어 "삼성전자는 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 '싱글스택 에칭' 기술력을 가진 유일한 기업"이라며 "향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 초고단으로 갈 수 있는 기술 리더십을 확보하고 있다"고 설명했다.

또 그는 "V낸드의 미래는 앞으로 1천단 이상을 바라보고 있다"며 "향후 1천단 V낸드 시대에도 삼성전자의 혁신적인 기술력을 기반으로 시장을 주도할 것"이라고 강조했다.