[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 1b(5세대, 12~13나노급) D램 개발을 포기했다는 루머를 부인했다.
삼성전자는 28일 열린 컨퍼런스콜에서 "1b D램을 스킵하고 1c(6세대, 11~12나노급)로 간다는 건 사실이 아니다"며 "극자외선(EUV) 노광장비 등 새로운 기술을 도입해 개척하다 보면 일부 계획 변경도 있을 수 있으며 이 또한 삼성의 로드맵 적용·확장 과정"이라고 강조했다.
이어 "메모리 수요가 기존 소비자 제품에서 IT·인프라 중심으로 확장되고 있어 성숙한 기술의 제품을 적기 제공하는 것이 무엇보다 중요해지고 있다"며 "선단 노드 개발 과정에서 수율 안정성, 원가 등을 종합적으로 고려해 이번 공정 디자인도 최적화하는 중"이라고 덧붙였다.
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