[한미정상회담] 바이든 만나는 이재용…세계 첫 3나노 반도체 베일 벗나

[아이뉴스24 서민지 기자] 한미정상회담을 위해 한국을 방문하는 조 바이든 미국 대통령이 방한 첫 일정으로 삼성전자 평택 반도체 공장을 찾는다. 삼성전자는 세계 최초 3나노미터 공정의 차세대 반도체를 선보이며 기술력을 적극 알릴 것으로 보인다.

20일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 오후 경기도 평택에 있는 삼성전자 반도체 공장에서 바이든 대통령에게 3나노 공정의 차세대 반도체를 선보일 것으로 알려졌다.

삼성전자는 올해 상반기 중으로 GAA(게이트올어라운드·Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 1세대 제품 양산을 시작할 예정이다. 이를 위해 기술 개발을 마치고 양산 돌입을 위한 준비를 진행 중인 것으로 전해졌다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적과 소비전력은 줄이면서 성능은 높인 독자적인 신기술이다. 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다.

파운드리 업체 중 10나노 미만의 미세공정 기술력을 갖춘 기업은 삼성전자와 TSMC가 유일하다. 3나노에서는 삼성전자가 세계 1위인 TSMC보다 반년 정도 앞섰다는 평가를 받고 있다.

일각에선 이재용 삼성전자 부회장이 직접 시제품을 소개할 수 있다는 관측도 나온다. 이 부회장은 이날 직접 한미 정상을 안내할 예정인 것으로 알려졌다.

미국 대통령이 한국 반도체 공장을 방문하는 것은 이번이 처음이다. 윤석열 대통령도 취임 후 처음으로 산업 현장에 방문하는 것으로, 이곳에서 바이든 대통령과 첫 만남을 갖는다.

당초 이 부회장은 이날 삼성물산과 제일모직 부당합병 재판에 출석해야 했지만, 긴급상황으로 재판에 출석하기 어렵다는 취지의 의견서를 법원에 내 재판부로부터 불출석 허가를 받았다.

업계 관계자는 "삼성전자는 3나노 제품을 통해 기술력이 높다는 점을 강조할 것"이라며 "주요 고객사인 미국 반도체 기업 퀄컴의 크리스티아누 아몬 최고경영자(CEO)가 동행할 것으로 보이는 만큼 삼성전자가 기술력을 적극 알릴 것으로 예상된다"고 말했다.