반도체 새역사 장식한 '황의 법칙'

황창규 삼성전자 반도체총괄 사장이 올해 들어 연속된 악재를 털고, '황의 법칙'을 8년째 증명하며 메모리반도체 역사의 또 한 페이지를 장식했다.

삼성전자는 세계 최소 선폭, 최대 용량의 30나노미터 64기가비트(Gb) 낸드플래시메모리를 개발했다고 23일 발표했다. 이로써 지난 1999년 256메가비트(Mb) 낸드플래시 개발 이후 '반도체 집적도는 1년에 2배씩 늘어난다'는 이른바 '황의 법칙'을 또다시 증명하게 됐다.

'황의 법칙'은 황 사장이 지난 2002년 2월 미국에서 열린 국제반도체회로학술회의(ISSCC) 기조연설에서 처음 주장한 '메모리반도체 신성장이론'이다. 당시 황 사장은 "메모리반도체의 집적도는 매년 2배씩 늘어나게 될 것"이라며 "메모리반도체의 성장은 PC가 아닌 모바일기기와 디지털가전이 주도할 것"이라고 주장했다.

황 사장은 지난 1999년 256Mb 낸드플래시 개발 이후 8년 연속 메모리반도체 집적도 연간 2배 성장(99년 256Mb→2000년 512Mb→2001년 1Gb→2002년 2Gb→2003년 4Gb→2004년 8Gb→2005년 16Gb→2006년 32Gb→2007년 64Gb)의 법칙을 증명했다.

또 지난 2001년 100나노 기술 개발 이후 7년 연속 미세공정 기술의 세계 최초 개발(2001년 100나노→2002년 90나노→2003년 70나노→2004년 60나노→2005년 50나노→2006년 40나노→2007년 30나노)이란 쾌거도 달성했다.

삼성전자는 64Gb 낸드플래시 기술 및 제품 관련 30여건의 핵심 특허를 한국, 미국, 일본 등 국내외에 출원하고 있다. 이번 64Gb 멀티 레벨 셀(MLC) 낸드플래시와 함께 개발된 32Gb 싱글 레벨 셀(SLC) 낸드플래시 두 제품은 향후 차세대 저장장치 솔리드 스테이트 디스크(SSD)의 대중화와 함께 모바일기기와 디지털가전용 저장매체 시장을 더욱 확대시킬 것으로 기대된다.

삼성전자 반도체총괄을 이끌고 있는 황 사장은 올해 들어 메모리반도체 가격 급락에 따른 실적 악화와 핵심 메모리사업부를 넘기는 인사조치, 기흥 낸드플래시 라인의 정전사태, 이건희 삼성 회장으로부터의 질책까지 여러 악재를 감당해야 했다.

그러나 3분기 반도체총괄의 실적이 경쟁사에 비해 월등히 우수한 데다, 이번에 '황의 법칙'을 새롭게 증명하면서 시름을 덜 수 있게 됐다. 뿐만 아니라 이번 64Gb 낸드플래시 개발에 적용된 신기술들을 향후 20나노급 및 256Gb 제품 개발에도 적용할 수 있어, '황의 법칙'이 존속될 수 있다는 가능성을 열어보였다는 점도 '황의 가치'를 높여주는 요소 중 하나.

삼성전자는 "'창조'란 '이제까지 없었던 새로운 개념의 탄생', 그리고 '이미 있었던 개념을 창의적으로 새롭게 적용하는 것' 두 종류로 대별된다"며 "삼성전자의 이번 개발은 후자에 해당하는 것으로, 퓨전메모리(원낸드, 원D램, 플렉스-원낸드) 'CTF(Charge Trap Flash)' 기술 등과 함께 삼성전자 반도체의 대표적 '창의적 산물'로 기록될 것"이라고 전했다.