IBM-롬앤하스, 22~32나노 공정기술 공동개발

미국 IBM과 롬앤하스전자재료는 초미세 공정인 22~32나노미터용 공정기술 공동 개발 협약을 맺었다고 28일 발표했다.

두 회사는 구리 및 로우-K 유전체 집적 평탄화 패드(CMP) 공정기술을 개발하는데 힘을 모으게 된다.

IBM반도체연구소의 제프리 헤드릭 박사는 "반도체 기술의 복합 추세와 함께 패드와 슬러리 기술 혁신이 제조 역량을 높이는데 있어 필수요소로 부각되고 있다"고 설명했다. 이어 "롬앤하스의 전문기술과 CMP 공정기술에 대한 IBM의 폭넓은 지식은 관련 기술 개발에 있어 시너지를 발휘할 것"이라고 전했다.

IBM은 국내 삼성전자를 비롯해 인텔, 텍사스인스투르먼트(TI) 등 선두권 반도체 기업들과 32나노 이하 반도체 기술을 공동 개발하는데 적극 나서고 있다.