[4분기 실적]삼성電 "32나노 낸드 시제품 6월 공급"

삼성전자가 최첨단 메모리반도체 공정 적용 시기를 밝혔다.

삼성전자 홍완훈 반도체부문 전무는 23일 서울 여의도 증권선물거래소에서 열린 실적발표 설명회에서 "32나노미터 공정의 낸드플래시메모리 시제품을 오는 6월 선보일 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 32나노 시제품을 고객사에 선보인 이후, 대량 양산에 들어갈 예정이다. 30나노급 낸드플래시는 IM플래시(인텔-마이크론테크놀로지 합작사), 도시바 등이 도입하거나, 도입을 추진 중인 가운데 업계 1위인 삼성전자가 원가 등 경쟁력에서 가장 앞설 것으로 예상된다.

삼성전자는 현재 41나노까지 미세공정을 도입해 낸드플래시를 양산하고 있다.

삼성전자는 32나노 낸드플래시 양산과 함께 3중셀 구조의 제품도 생산한다는 방침이다. 3중셀은 싱글 레벨 셀(SLC), 멀티 레벨 셀(MLC)에 이은 트리플 레벨 셀(TLC) 구조로 원가 절감 및 제품용량 증대에 기여할 것으로 예상된다. 도시바, 하이닉스반도체 등이 3중셀 낸드플래시 양산을 추진하고 있다.

홍 전무는 또 현재 56나노에 이은 차세대 46나노 D램 공정에 대해 "현재로선 도입 시기를 확정하지 못했다"며 "시장상황을 봐가며 판단할 것"이라고 밝혔다. 그는 "40나노급 D램은 삼성전자가 업계에서 가장 앞서고 있으며, 도입 역시 가장 빨리 할 것"이라고 전했다.