하이닉스, '전력↓ 속도↑' DDR4 D램 개발

[김도윤기자] 하이닉스가 삼성에 이어 DDR4 D램 개발에 성공했다.

하이닉스반도체(대표 권오철)는 30나노급 2기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 4일 발표했다.

하이닉스는 DDR4 D램을 오는 2012년 하반기부터 양산할 계획이다.

하이닉스 관계자는 "DDR4는 지금 시장 주력 제품인 DDR3에 비해 전력소모는 적고 데이터 전송 속도는 2배가량 높인 차세대 D램"이라며 "하이닉스 DDR4는 업계 최초로 2천400Mbps 데이터 전송속도를 구현했다"고 말했다.

데이터 전송속도 2천400Mbps는 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 모듈 제품을 통해 DVD급 영화 4~5편에 해당하는 19.2GB 용량을 1초에 처리할 수 있는 수준이다.

하이닉스는 DDR4 D램을 모아 만든 모듈인 'ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module)'를 함께 개발했다.

하이닉스 관계자는 "DDR4 D램 단품을 모아서 만든 ECC-SODIMM은 크기가 작아 주로 노트북이나 소형 서버에 사용하는 제품"이라고 말했다.

시장조사기관 아이서플라이에 따르면 DDR4 D램 비중이 오는 2013년 약 5%에서 2015년 50% 이상을 기록할 전망이다. DDR3 D램은 오는 2012년 비중 71%로 최고치를 기록한 뒤 2013년 68%, 2014년 49%로 점유율이 하락할 것으로 내다봤다.

하이닉스 마케팅본부장 김지범 전무는 "DDR4 D램은 고객이 요구하는 친환경, 저전력, 고성능 특성을 모두 만족시킨 제품"이라며 "PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 솔루션을 제공할 수 있다"고 말했다.