삼성전자, 7배 빠른 'HBM2 D램' 세계 최초 양산

[양태훈기자] 삼성전자는 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 고대역폭 메모리(HBM2) D램을 본격 양산한다고 19일 발표했다.

이번에 양산하는 HBM D램은 4기가바이트(GB) 용량으로, 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용해 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올려 차세대 초고성능 컴퓨팅 시스템에 최적의 솔루션을 제공한다는 게 회사측 설명이다.

또 2세대 HBM 규격인 'HBM2'을 만족, 기존 1세대 HBM 규격보다 2배 빠른 속도와 초절전, 초슬림, 고신뢰성까지 구현해 차세대 그래픽 카드와 초고성능 컴퓨팅 환경이 요구하는 특징을 모두 만족시킨다는 것.

삼성전자의 최신 공정기술인 20나노미터(nm, 10억분의 1미터) 기반의 8기가비트(Gb) HBM2 D램 4개로 이뤄졌으며, 1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 적층하고 각 칩을 TSV 접합볼(범프)로 연결한 구조로 구성됐다. 특히, 8Gb HBM2 D램 칩은 높은 대역폭으로 속도를 향상 시킬 수 있도록 기존 8Gb TSV DDR4보다 36배 이상 많은 5천여개의 구멍을 뚫는 고난이도 TSV 기술이 적용됐다.

4GB HBM2 D램은 초당 256GB의 데이터를 전송해 현재 개발된 D램 중 가장 빠른 4Gb GDDR5(9Gbps)보다 7배 이상 많은 데이터를 처리, 와트당 데이터 전송량도 2배 높여 전력소모를 크게 줄였다.

더불어 TSV기술을 적용한 적층 형태를 통해 그래픽카드 등에 탑재될 경우 평면상에 D램을 배열해야 하는 GDDR5 대비 D램 실장면적을 95% 이상 줄일 수 있는 이점도 제공한다.

가령 8GB 그래픽카드에 8Gb GDDR5를 탑재할 경우 8개의 칩을 평면상에 넓게 배열해야 되지만, 4GB HBM2 D램은 단 두개의 칩만으로도 구성이 가능해 그래픽카드에서 D램이 차지하는 공간을 대폭 줄일 수 있다.

삼성전자 전세원 메모리사업부 마케팅팀 전무는 "차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 초고성능 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)를 적기에 도입하는 데 크게 기여하게 됐다"며, "향후에도 3차원 메모리 기술을 기반으로 글로벌 IT시장 변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 지속 확보해 나갈 것"이라고 강조했다.

한편, 삼성전자는 올해 상반기에 용량을 2배 올린 '8GB HBM2 D램'도 양산한다는 계획이다.

차세대 HBM 라인업을 더욱 확대해 초고속 컴퓨팅용 HBM시장을 지속 선점하고, 글로벌 IT고객들의 수요 증가세에 맞춰 HBM D램의 생산비중을 확대를 통해 네트워크, 서버 등 새로운 프리미엄 메모리 시장 성장세를 주도할 방침이다.