인텔, 독자 3D 낸드 기반 'SSD' 시장 공략 나서

[양태훈기자] 인텔이 올해 본격적인 낸드플래시 메모리 시장 공략에 나선다. 고성능·고용량·고효율을 요구하는 데이터센터 시장이 주 타깃이다.

32단 3차원(3D) 낸드플래시 메모리를 기반으로 한 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 'P3320·P3520'을 비롯해 초고속 비휘발성 메모리 익스프레스(NVMe) 인터페이스를 적용한 SSD 'D3700·D3600'를 출시한다는 계획이다.

데이비드 룬델 인텔 클라이언트 SSD 전략 수립 및 제품 마케팅 책임자는 15일 서울 여의도 하나대투증권에서 열린 기자간담회에서 "SSD는 현재 전체 스토리지(저장장치) 시장의 10~20% 정도를 차지, 많은 잠재력을 가지고 있다"며, "(인텔이 중국 다롄에 낸드플래시 생산라인을 갖춘 것도) 해당 시장에 대한 강한 의지를 표명한 것"이라고 말했다.

인텔이 낸드플래시를 기반으로 한 SSD 시장 공략에 나선 것은 초고화질(UHD)·3D 가상현실(VR) 콘텐츠, 빅데이터, 인공지능(AI) 등 기존 하드 디스크 드라이브(HDD)보다 빠르게 대용량의 데이터를 처리할 수 있는 저장장치에 대한 수요가 급증하고 있기 때문이다.

실제 시장조사업체 IHS 테크놀로지에 따르면 SSD는 서버용 저장장치 시장에서 오는 2020년까지 하드 디스크 드라이브(HDD) 대비 4배 높은 20.2%의 출하량 성장률을 기록할 것으로 전망될 정도다.

특히, 3D 낸드플래시 메모리는 수평구조인 기존 2차원(2D) 메모리 셀을 수직(3차원)으로 쌓아 저장용량을 높이는 방식으로 원가절감을 달성, 해당 시장의 성장을 견인하고 있다.

데이비드 룬델 책임자는 이와 관련해 "SSD는 업계에서 새로운 가치를 창출, 데이터센터의 서비스품질(QoS)을 증진시키고 소비자에게 더 나은 성능을 제공하고 있다"며, "인텔은 구조차원에서 혁신을 추구, 25년간 유용성이 입증된 '플로팅게이트' 기술을 3D 낸드플래시 기술로 사용했다"고 말했다.

플로팅게이트 기술이란, 절연체(전자가 흐르는 물질)인 산화막으로 구성된 플로팅게이트 위에 전자를 채우고 비우는 방식으로 낸드플래시 메모리 셀의 데이터를 기록·삭제하는 방식을 말한다.

데이비드 룬델 책임자는 "플로팅게이트 방식은 메모리 어레이를 제어하기 위한 컨트롤 회로를 플래시 어레이 아래에 배치할 수 있어 효용성이 높다"며, "2차원(2D) 낸드플래시 기반의 멀티레벨셀(MLC), 트리플레벨셀(TLC)을 대체할 수 있는 비용효율성도 갖췄다"고 말했다.

이어 "3D 낸드플래시는 인텔이 직접 제조하는 것으로, (기존 수평 구조 낸드플래시 대비) 비용효율성·전력효율·내구성·성능·신뢰성을 향상시켰다"며, "중국 다롄 생산라인에서 올해 내로 실제 양산에 돌입할 것으로 예상된다"고 덧붙였다.

한편, 인텔은 3D 낸드플래시 외에도 지난해 발표한 차세대 메모리 기술인 '3D 크로스 포인트'에 대해서도 자신감을 전했다.

3D 크로스 포인트는 낸드플래시 대비 1천배 빠른 속도를 제공하는 동시에 D램과 달리 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성을 제공하는 제품을 말한다.

데이비드 룬델 책임자는 "(인텔의 차세대 메모리인) 3D 크로스 포인트가 경쟁사와 다른 것은 생산시설로 옮겨가 양산단계로 나아가고 있다는 점"이라며, "(현재는) 미국 유타 생산라인에서의 생산을 목표로 하고 있지만, 중국 다롄 역시 역량을 갖추고 있어 이를 지원하는 방향으로 나갈 것으로 본다"고 말했다.