[아이뉴스24 조석근 기자] 이재용 삼성전자 부회장이 세계 최초 3나노급 반도체 개발현장을 점검하며 2020년 새해 첫 일정을 시작했다.
삼성전자에 따르면 이 부회장은 2일 삼성전자 화성사업장 내 반도체 연구소를 찾아 삼성전자가 3나노 공정기술을 보고 받고 반도체(DS) 부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다.
이 부회장이 새해 첫 경영 행보로 반도체 개발 현장을 방문한 것은 D램, 낸드플래시 등 기존 주력 사업인 메모리에 이어 시스템 반도체 부문에서도 세계 1위를 차지하겠다는 비전을 임직원들과 재차 공유하는 차원이다.
이 부회장은 지난해 4월 메모리, 시스템 반도체를 포함한 향후 10년 내 반도체 종합 1위 기업을 목표로 하는 '반도체 비전 2030'을 발표했다. 이 기간 동안 시스템 반도체 분야 133조원을 투자해 모바일 프로세서, 인공지능 칩, 차량용 반도체 등 차세대 시스템 반도체 설계와 위탁생산(파운드리) 부문에서 세계적인 경쟁력을 화보하겠다는 것이다.
삼성전자의 3나노급 공정기술은 반도체 미세화의 한계를 극복할 차세대 기술인 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용, 최근 공정개발을 완료한 5나노 제품보다 칩 면적을 35% 이상 줄일 수 있다. 소비전력은 절반 이하이면서도 처리속도는 30% 이상 향상 시킬 수 있다.
이재용 부회장은 이날 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다. 역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것"이라며 "잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 당부했다.
또한 우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심해야 할 것"이라고 덧붙였다.
이 부회장은 지난해 11월 삼성전자 50주년 창립 기념일 당시 "다가올 50년을 준비해 미래 세대에 물려줄 100년 기업이 되자"며 "우리의 기술로 더 건강하고 행복한 미래를 만들자. 같이 나누고 함께 성장하는 것이 세계 최고를 향한 길"이라는 메시지로 눈길을 끌었다.
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