삼성전자-IBM-인피니언-차터드 연합 45나노 로직공정 개발

로직반도체업계가 메모리 업계에 비해 미세 공정 도입이 늦다는 통념이 깨지고 있다.

최근 로직 반도체 업체들이 90나노, 65나노에 이어 45나노 기술을 발전시켜가며 오히려 메모리 보다도 미세 공정 도입이 빨라지고 있기 때문.

삼성전자, IBM, 인피니언, 차터드 등 4사 45나노 로직공정을 공동 개발하고 동작 회로(working circuit)를 확보했다고 30일 밝혔다.

45나노 로직공정은 거의 모든 SoC(System on Chip) 반도체에 적용될 수 있는 초 미세공정. 고속 동작과 저전력 소비를 요구하는 모바일 기기용 SoC에 필수적이다.

삼성전자 시스템LSI 사업부 차세대개발팀의 강호규 상무는 "45나노 로직공정은 기존의 65나노 공정과 비교하여 SoC의 집적도를 2배, 동작 속도를 30% 이상 증가시킬 수 있어 차세대 SoC에 적합한 공정 기술이 될 것이다"라고 말했다.

이번에 확보한 45나노 실리콘 칩은 4개가가 공동 개발한 임베디드 메모리와 인피니언이 설계한 표준 라이브러리 셀, 입출력 회로 등으로 구성돼 있다.

삼성전자와 IBM, 차터드는 45나노 로직공정을 12인치 생산 라인에 이전해 2007년 말까지 양산 준비를 완료할 예정이다.

4개사 연합은 차세대 로직공정 공동개발 프로젝트를 이미 지난 2004년 65나노 공정 개발부터 시작한 바 있으며, 이번 45나노 공정 개발로 2세대에 걸친 협력을 이어 가게 됐다.

인텔도 지난 1월 세계최초 45나노 공정의 S램 동작회로를 개발했다. 인텔은 현재 65나노 공정 마이크로프로세서를 생산하고 있지만 2007년 부터는 45나노 공정의 기반의 마이크로프로세서를 제조한다는 계획을 가지고 있다.

소니, 도시바, IBM 3사는 올해 초 90나노, 65나노 제조공정 기술 개발 제휴를 32나노 급으로 확대하기로 했다고 발표했다.