하이닉스, 5년뒤 P램 점유율 30%로 높일것

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 '양적 및 질적 균형성장'과 함께 제2창업 비전을 달성하기 위한 중장기 계획을 25일 발표했다.

하이닉스는 최고주의를 바탕으로 연평균 20% 이상의 성장을 목표로 삼고 3년, 5년, 10년의 경영목표를 수립했다. 우선 오는 2010년까지 매출 180억달러를 달성해 세계 반도체 업계 3위에 진입하고, 2012년엔 D램과 낸드플래시, P램의 시장점유율을 각각 30%로 끌어올려 매출 250억달러를 달성한다는 계획이다. 또 10년 후인 2017년에는 명실상부한 세계 최고의 반도체 전문회사로 도약한다는 목표다.

고부가가치 산업 창출을 위해 하이닉스는 3년 간 미래기술을 준비한 뒤, 5년 뒤인 2012년까지 본격적으로 신규 사업을 육성할 계획이다. 회사 측은 우선 2009년까지 P램 시장진입에 박차를 가하고, 차세대 메모리와 비메모리를 포함해 2017년엔 매출의 30% 이상을 D램과 낸드플래시 이외의 사업에서 올릴 것이라고 밝혔다.

이와 같은 중장기 비전을 실현하기 위한 5대 핵심 발전전략도 제시했다.

첫째 성장 동력 확보를 위해 오는 2012년까지 300㎜(12인치) 팹의 건설을 계속한다. 하이닉스는 현재 40%인 300㎜ 팹 비율을 2012년까지 90% 이상으로 끌어 올릴 계획이다. 경쟁력이 한계에 도달한 200㎜(8인치) 팹은 단계적으로 300㎜로 전환하거나, 부가가치가 높은 신규사업을 위해 활용할 예정이다.

둘째 2012년까지 '글로벌 최고 R&D 기업'이 되기 위해 R&D 분야의 투자금액을 현재 매출 대비 6% 수준에서 10%까지 높일 예정이다. 더불어 현재 2천명 수준의 연구인력을 5천명까지 확대할 계획이다.

셋째 우수인재 유치를 위해 '하이닉스 반도체학과'와 같은 맞춤형 산학협력을 확대하고, 국내외 우수인력에 대한 확보에도 적극적으로 나선다는 방침이다.

넷째 국내외 반도체 관련 업계와 제휴도 강화한다. 이는 300㎜ 팹 건설에 투입되는 막대한 투자부담과 공정기술 미세화에 따른 개발 위험을 최소화하고, 미래기술을 선점하기 위한 것. 공동개발, 합작회사, 교차 라이선스, 자본참여 등 다양한 방법의 전략적 제휴를 고려하고 있다.

다섯째 지속가능 발전 인프라를 구축하기 위해 친환경 경영, 윤리경영, 공정거래 자율준수 활동 등을 중점적으로 추진할 계획이다.

하이닉스는 10년 후인 오는 2017년에는 주주와 고객, 사원, 국민 모두가 만족하는 최고수준의 기업가치를 가진 회사로 도약하겠다는 방침을 밝혔다. 또 주주배당과 같은 주주에 대한 보상책도 함께 검토할 계획이라고 덧붙였다.

이날 진행한 '글로벌 톱 실현 로드맵' 워크숍에서 김종갑 하이닉스 사장은 "그동안 재무적인 어려움으로 미래를 위한 준비가 다소 부족했다"며 "이제는 R&D, 신규사업 진출 등을 위한 과감한 투자로 양적인 부문은 물론 고부가가치를 지향하는 질적인 성장도 함께 모색할 것"이라고 밝혔다.