하이닉스, 60나노급 모바일 D램 세계 첫 개발

하이닉스반도체(대표 김종갑 www.hynix.co.kr)는 세계에서 가장 빠르고, 크기는 가장 작은 60나노급 1기가비트(Gb) 모바일 D램 개발에 성공했다고 13일 발표했다.

모바일 D램은 주로 휴대폰에 탑재되는 기억장치(메모리)로, 휴대폰의 배터리 수명을 감안해 낮은 전력을 소비토록 설계되는 것이 특징이다. 일반적으로 컴퓨터에 장착되는 메인 메모리 사용 전력에 비해 최소 100분의 1 수준으로 전력을 사용토록 설계된다.

하이닉스가 이번에 개발한 모바일 D램은 세계 최초로 66나노 공정기술을 이용했다. 초미세 공정을 적용해 크기를 줄임으로써, 다양한 초소형 전자기기 및 메모리 제품에 적용할 수 있도록 했다.

또 최대 200메가헤르츠(MHz)로 동작하고, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 최대 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있도록 한 최고속 제품이다. 새 제품은 '원 칩 솔루션' 기능을 갖추고 있어, 탑재되는 기기의 사양에 맞춰 데이터 처리속도 및 방식을 하나의 칩에서 변경해 사용할 수 있다.

앞서 삼성전자는 80나노 공정을 채택한 166㎒급을, 미국 마이크론은 78나노 공정을 적용한 167㎒급 모바일 D램을 각각 선보였다.

하이닉스는 최근 2분기 실적발표 당시 자사 모바일 D램의 경쟁력이 다른 회사들보다 우수하다고 강조했었다. 하이닉스 김정수 상무는 "현재 D램 부문에서 매출 기준 5% 수준인 모바일 D램의 비중을 오는 2010년 15%로 확대시킬 계획"이라고 밝혔다.

하이닉스는 66나노 모바일 D램의 양산을 내년 1분기 시작할 예정이다. 다양한 소형 메모리 제품에 적용할 수 있는 제품의 특성을 살려 낸드플래시메모리와 D램을 적층해 만든 '낸드 멀티칩 패키지(NAND MCP)'와 패키지 위에 패키지를 얹는 '패키지 온 패키지(PoP)' 등 다양한 형태로 제품을 생산할 계획이다.

'노어 멀티칩 패키지(NOR MCP)' 및 '시스템 인 패키지(SiP)' 등 업체엔 웨이퍼 상태로 제품을 공급할 수 있도록 'KGD(Known Good Die)' 형태로 제작할 방침도 세우고 있다.