인텔·마이크론, 3차원 낸드 플래시 개발 성공

[양태훈기자] 인텔은 3일 마이크론과 협력해 3차원(3D) 낸드플래시 메모리 기술 개발에 성공했다고 발표했다.

3차원 낸드플래시는 데이터 저장공간(스토리지)의 셀 층을 수직으로 쌓는 방법으로 평면형 낸드플래시 보다 작은 공간에 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 게 특징이다.

현재 반도체 업계에서는 평면형 낸드플래시 메모리가 확장의 한계치에 도달하고 있다고 판단, 이를 극복하기 위한 방안으로 3차원 낸드플래시 개발에 집중하고 있다.

인텔 관계자는 "다이 당 최대 48기가바이트(GB), 손톱 사이즈의 단일 패키지에 1테라바이트(TB)의 4분의3 용량이 가능, 3.5TB 이상 용량의 SSD와 10TB 이상의 표준형 2.5인치 SSD 생산이 가능해졌다"고 말했다.

인텔은 이번에 개발에 성공한 3차원 낸드플래시를 활용해 현재 멀티레벨셀 방식의 256기가비트(Gb) 제품을 개발 중이며, 상반기 중으로 트리플레벨셀 방식의 386Gb 디자인도 공개할 계획이다.

본격적인 양산 시점은 올해 4분기부터로 인텔과 마이크론은 3차원 낸드플래시를 기반으로 한 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 솔루션을 개발, 내년 시장에 출시할 예정이다.

롭 크루크(Rob Crooke) 인텔 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 수석 부사장은 "이번 3차원 낸드 기술의 개발은 업계를 선도하는 혁신적인 비휘발성 메모리 기술을 시장에 제공하고자 하는 인텔과 마이크론의 노력을 보여주는 예"라며, "향상된 집적도와 비용 절감 효과에 힘입어 컴퓨팅 플랫폼에서의 솔리드 스테이트 스토리지의 적용이 가속화 될 것"이라고 말했다.