[양태훈기자] 삼성전자는 29일 1분기 실적 컨퍼런스콜에서 "D램은 올해 DDR3에서 DDR4로 전환기가 될 것으로 보인다"며 "20나노 공정라인 향상과 고부가 라인확보로 안정적인 고수익을 이어갈 것"이라고 말했다.
낸드 사업에 대해서는 "올해 플래너(평면) 낸드의 기술한계가 가까워져 내년에는 (3차원) V낸드 전환이 본격화될 것으로 예상된다"며 "이같은 상황에서 경쟁사 대비 1년 이상 앞선 생산 노하우 및 기술 리더십을 바탕으로 낸드 사업의 확고한 우위를 차지할 것으로 기대한다"고 자신했다.
또 시스템LSI에 대해서는 "14나노 모바일AP를 최초 상용화, 퍼스트 팔로워에서 퍼스트 무버로 나아가는 한해가 될 것"이라며 "이를 통해 시스템LSI 사업부의 실적 턴어라운드를 확보할 것"이라고 강조했다.
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