[아이뉴스24 이연춘 기자] 이재용 삼성전자 부회장이 한 달 만에 다시 화성사업장을 찾았다.
이 부회장은 20일 올해 2월부터 본격 가동을 시작한 극자외선(EUV) 전용 반도체 생산라인을 직접 살펴보고 임직원들을 격려했다.
극자외선(EUV)을 적용한 3나노 기술은 삼성전자가 반도체 시장에서 초격차를 유지하는 데 핵심적 역할을 할 신기술이다. 3나노 반도체에는 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 '게이트올어라운드(GAA)'와 EUV 공정기술이 적용됐다. 5나노 제품 대비 반도체 칩 면적과 소비전력을 줄이면서 처리속도는 크게 높인 게 특징이다.
이 부회장이 방문한 'V1 라인'은 삼성전자의 첫 EUV 전용 라인으로 최근 본격적으로 7나노 이하반도체 생산에 돌입했다. 앞으로 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 계획이다.
이 부회장은 "지난해 우리는 이 자리에 시스템반도체 세계 1등의 비전을 심었고, 오늘은 긴 여정의 첫 단추를 꿰었다"며 "이곳에서 만드는 작은 반도체에 인류사회 공헌이라는 꿈이 담길 수 있도록 도전을 멈추지 말자"고 말했다.
앞서 지난달 초 이 부회장은 새해 첫 경영 행보로 화성사업장 내 반도체연구소를 찾은바 있다.
삼성전자는 이번 3나노 공정기술 개발로 초미세화 경쟁에서 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 1위 업체인 TSMC를 추월할 발판을 마련했다는 평가를 받는다.
이 부회장이 “역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것”이라고 강조한 것도 3나노 기술을 앞세워 메모리와 시스템 반도체를 아우르는 세계 1위의 반도체 기업으로 도약하겠다는 강한 자신감을 나타낸 것으로 풀이된다.
삼성전자는 지난해 '반도체 비전 2030'을 발표하고 시스템반도체에 133조원 투자와 1만5천명 채용, 생태계 육성 지원방안 등을 밝혔다.
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