[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 3나노미터 게이트올어라운드(GAA) 2세대 공정이 적용된 반도체를 2024년 양산하겠다고 밝혔다.
삼성전자 관계자는 28일 열린 컨퍼런스콜에서 "3나노 GAA 2세대 공정은 1세대와 비교해 면적, 성능, 전력 효율을 더욱 개선하는 공정"이라며 "2024년 양산을 목표로 계획대로 개발 중"이라고 강조했다.
이어 "모바일 응용처에서 복수의 대형 고객사를 확보했다"며 "규모는 점차적으로 확대될 것"이라고 덧붙였다.
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