삼성전자가 80나노 기술을 적용한 1기가비트(Gb) 모바일 DDR D램을 개발해 PC용 D램에 이어 모바일 D램에서도 기가급 D램 시대를 열었다.
이 회사는 27일 512메가비트(Mb: Mega bit) D램을 2개 적층한 기존 제품에 비해 두께가 얇고 전력 소모가 적은 1기가비트 D램을 개발했다고 발표했다.
D램(DRAM: Dynamic Random Access Memory)은 휘발성 메모리이기 때문에 데이터를 읽고 쓸 때는 물론, 전원이 켜져 있는 상태에서 데이터를 유지하는 대기시간에도 전력이 소모된다.
80나노 1기가비트 모바일 D램은 온도에 따라 D램의 데이터 유지를 위한 리프레시 주기를 최적화함으로써, 기존의 512메가비트 D램을 2개 적층한 제품과 비교해 대기 전력 소모를 30% 감소시킬 수 있다고 삼성전자는 설명했다.
또한 데이터를 읽고 쓸때도 기존 제품 대비 전류량을 30% 이상 감소시킬 수 있어, 점차 다기능·고성능화되고 있는 모바일 기기에 있어 주요 기술 요인으로 부각되고 있는 저전력 소자 요구에 효과적으로 대응할 수 있다고 회사측은 강조했다.
삼성전자는 이번 제품 출시로 크기 측면에 있어서도 기존 제품 대비 20% 이상 얇은 박막형 솔루션 제공이 가능해, '07년부터 2기가비트 급의 고용량 제품 수요가 예상되는 가운데 초소형 메모리 공급에 있어 유리한 고지를 점하게 됐다고 의미를 부여했다.
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