삼성전자, 세계 최초 60나노급 2Gb D램 개발

삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR2 D램 개발에 성공해, 인텔의 인증을 얻었다고 12일 발표했다.

삼성전자는 올해 말부터 이 제품의 양산에 들어갈 예정이다. 지난 3월 60나노급 1Gb DDR2 D램을 업계 최초로 양산한 삼성전자는 6개월만에 용량이 2배인 제품을 다시 60나노급 미세공정 기술로 생산하는데 성공했다.

삼성전자는 현재 양산 중인 512메가비트(Mb) 및 1Gb D램을 포함해 올해 말 2Gb 제품까지 DDR2 D램 전 제품에 대해 60나노급 제품으로 양산 전환을 마치게 된다. 이는 업계에서 처음 진행하는 일이다.

이번에 개발한 60나노급 2Gb D램은 지난 2004년 개발한 80나노 2Gb D램의 최대 속도인 초당 667Mb보다 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps를 구현한다. 생산성도 40% 이상 높아진다.

2Gb DDR2 D램은 8기가바이트(GB) 서버용 모듈(FB-DIMM, R-DIMM)과 워크스테이션·데스크톱PC·노트북 등에 탑재되는 4GB 모듈(U-DIMM, SO-DIMM) 등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공하게 된다. 이로써 메모리 용량 확대를 가속화시킬 것으로 예상된다.

또 기존에 1Gb D램 36개로 구성된 4GB D램 모듈을 2Gb 18개로 대체할 수 있기 때문에, 1Gb D램으로 구성된 모듈 대비 30% 이상 전력을 절감할 수 있다. 시스템 작동 시 발열량을 줄이고 신뢰성을 높일 수 있는 것은 물론이다.

삼성전자는 60나노급 1Gb DDR2 D램을 필두로 올해 하반기부터 D램 시장 주요 제품을 기존 512Mb에서 1Gb로 전환하는데 나서고 있다.

반도체 시장조사기관인 가트너데이터퀘스트에 따르면 세계 2Gb D램은 올해부터 시장이 형성돼, 오는 2011년 140억달러 규모로 성장할 전망이다. 이 무렵 전체 D램 시장에서 47%의 비중을 차지할 것으로 예측되고 있다.