하이닉스, 최고속 모바일 LPDDR2 D램 개발

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 66나노 기술을 적용한 세계 최고속 1기가비트(Gb) 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) D램을 개발했다고 6일 발표했다.

새 제품은 하이닉스가 지난 2007년 세계 최고속·최소형 1Gb 모바일 DDR 제품을 개발한 이후 8개월 만에 만든 것으로, 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격을 만족시킨다.

하이닉스의 모바일 LPDDR2 D램은 세계 최초로 1.2V 전압에서 업계 최고속인 초당 800메가비트(Mbps)의 데이터 전송속도를 구현한다. 66나노미터의 초미세 공정을 적용해 9×12㎜ 크기를 구현한다. 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리속도 및 방식 지원이 가능한 '원 칩 솔루션' 기능을 갖추고 있어, 기기의 사양에 맞추어 변경 사용할 수 있다.

하이닉스는 이번 제품을 오는 4분기부터 양산하며 1Gb 이상 고용량 모바일 D램 시장을 선도할 것으로 기대하고 있다. 하이닉스는 2008년 수익성 1위 탈환을 위해 고부가가치 제품의 비중을 대폭 늘릴 계획이다. 모바일 D램의 경우 현재 7% 정도인 시장점유율을 3배 가까이 확대한다는 목표를 세웠다.